Главная  Промышленность 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 [ 65 ] 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162

Спой металлизации

Та5я. 6



N N точек

Координаты, мм

Координаты, мкм

Приме-

чание

• . •

. . .

. . ,

11.5

11.5

73,5

106,5

112,5

112,5

• • «

• • •

• • *

• • •

1. * - Размеры для спрадок

2. Конструктивное исполнение по чертежу... (указать вдоэначение чертежа собмещенной топологии)

3. Габаритпые размеры даны б мкм

Рис. 8.54. Топологический чертеж слоя металлизации



технические сорта пластмасс - гетинакс фольгированный ГФ-1, ГФ-2 (цифра в обозначении указывает толщину материала без фольги) и стеклотекстолит фольгированный СФ-2-50 по ГОСТ 10316-78 толщиной 0,8; 1,0; 1,5; 2,0; 2,5 и 3,0 мм, выпускаемый в виде листов размерами 450 х 600, 550 х 700, 980 х 1430 мм. При выборе габаритных размеров печатных плат следует руководствоваться линейными размерами [8.11] (табл. 8.9) или соотношениями, приведенными в начале § 8.5. В технически обоснованных случаях допускается применение форм печатных плат, отличающихся от прямоугольной.

Для подложек интегральных микросхем используют монокристаллический сверхчистый кремний в виде дисков диаметром 62,5; 78,5 и 102,5 мм с допуском не более + 0,5 мм. По ГОСТ 19658-81 материал выпускается трех марок и 10 групп. Обозначение состоит из четырех букв: ЭКДБ (группы с 1-й по 4-ю), ЭКЭС (группа 5-я), ЭКЭФ (группы с 6-й по 10-ю), где Э -эпитаксиальный, К -кремний, Д -с дырочной проводимостью, Э-с электронной проводимостью, Б-легированный бором, С - сурьмой, Ф - фосфором. Группы различаются по удельному электрическому сопротивлению.

Маркировка

означает, что пластина диаметром 60 мм состоит из эпитаксиального слоя кремния с электронной проводимостью, легированного фосфором, с удельным сопротивлением 0,5 Ом см и толщиной 10 мкм, который выращен на кремниевой подложке с дырочной проводимостью, легированной бором, с удельным сопротивлением 20 Ом>см и толщиной 300 мкм.

Таблица плат, мм

8.9. Стандартные размеры прямоугольных печатных

Высота

Длина

Высота

Длина

рад 1

рад 2

ряд 1

рад 2

10 20

15 30 40

110 120 130

15 20 25 30

135 140 150

20 30 40

25 45 50

160 170 180

60 80

120 140 1(50

130 150 170

30 40 50

45 80 90

180 200 240

190 220 280

320 360

40 50 60

45 75 100

130 140 150

120 140 160

170 180 190



Высота

Длина

Высота

Длина

ряд 1

ряд 2

ряд 1

ряд 2

45 50 60 70

200 260

75 80 85 90

140 160 180

150 170 190

50 60 80

75 85 95

220 260 320

90 100

60 80 90

75 85 95 110

150 160 170

100 120

140 160 180

180 190 200

75 80 85 90

,95 100 170

160 180 200

170 190 220

80 100

85 90 95 110

240 280 320

260 300 360

120 140

130 150 180

170 175 180

200 240

190 200 340

85 90 95 100

180 200 240

190 220 260

280 320 360

300 340

90 100

95 110 130

200 240 280

220 260 300

120 140

150 170

320 360

160 180

220 240 260

100 120

НО 130 150

280 300 320

140 160

170 190 200

340 360

240 280

240 280 320

260 300 340

Подложки гибридных и полупроводниковых микросхем имеют форму прямоугольной пластины толщиной от 0,2 до 1,6 мм и габаритами 50x50, 60x48, 100x 100 мм. Материал-стекло бесщелочное (боросиликатное или алюмосиликатное) С41-1, С48-3; ситалл (кристаллизованное стекло) СТ50-1; керамика на основе оксидов алюминия (96 % AI2O3) или бериллия (99,5 % ВеО); керамика «Поликор» (керамика, глазурованная слоем бесщелочного стекла).

В качестве материалов тонкопленочных полупроводниковых микросхем используют алюминий, медь, тантал, титан, молибден, золото с подслоем хрома, нихрома или марганца. Толщина слоя от 20 до 50 мкм.

Резистивные слои представляют собой пленки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, титана, рения, нитрида тантала, силицидов хрома (сплавы PC) или сплава МЛТ-ЗМ.

Диэлектрические слои выполняют осаждением монооксида или диоксида кремния или германия, оксидов алюминия или тантала, нитрида кремния, сернистой сурьмы или полимерных пленок.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 [ 65 ] 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162