![]() | |
Главная Промышленность Спой металлизации Та5я. 6 ![]() ![]()
1. * - Размеры для спрадок 2. Конструктивное исполнение по чертежу... (указать вдоэначение чертежа собмещенной топологии) 3. Габаритпые размеры даны б мкм Рис. 8.54. Топологический чертеж слоя металлизации технические сорта пластмасс - гетинакс фольгированный ГФ-1, ГФ-2 (цифра в обозначении указывает толщину материала без фольги) и стеклотекстолит фольгированный СФ-2-50 по ГОСТ 10316-78 толщиной 0,8; 1,0; 1,5; 2,0; 2,5 и 3,0 мм, выпускаемый в виде листов размерами 450 х 600, 550 х 700, 980 х 1430 мм. При выборе габаритных размеров печатных плат следует руководствоваться линейными размерами [8.11] (табл. 8.9) или соотношениями, приведенными в начале § 8.5. В технически обоснованных случаях допускается применение форм печатных плат, отличающихся от прямоугольной. Для подложек интегральных микросхем используют монокристаллический сверхчистый кремний в виде дисков диаметром 62,5; 78,5 и 102,5 мм с допуском не более + 0,5 мм. По ГОСТ 19658-81 материал выпускается трех марок и 10 групп. Обозначение состоит из четырех букв: ЭКДБ (группы с 1-й по 4-ю), ЭКЭС (группа 5-я), ЭКЭФ (группы с 6-й по 10-ю), где Э -эпитаксиальный, К -кремний, Д -с дырочной проводимостью, Э-с электронной проводимостью, Б-легированный бором, С - сурьмой, Ф - фосфором. Группы различаются по удельному электрическому сопротивлению. Маркировка означает, что пластина диаметром 60 мм состоит из эпитаксиального слоя кремния с электронной проводимостью, легированного фосфором, с удельным сопротивлением 0,5 Ом см и толщиной 10 мкм, который выращен на кремниевой подложке с дырочной проводимостью, легированной бором, с удельным сопротивлением 20 Ом>см и толщиной 300 мкм. Таблица плат, мм 8.9. Стандартные размеры прямоугольных печатных
Подложки гибридных и полупроводниковых микросхем имеют форму прямоугольной пластины толщиной от 0,2 до 1,6 мм и габаритами 50x50, 60x48, 100x 100 мм. Материал-стекло бесщелочное (боросиликатное или алюмосиликатное) С41-1, С48-3; ситалл (кристаллизованное стекло) СТ50-1; керамика на основе оксидов алюминия (96 % AI2O3) или бериллия (99,5 % ВеО); керамика «Поликор» (керамика, глазурованная слоем бесщелочного стекла). В качестве материалов тонкопленочных полупроводниковых микросхем используют алюминий, медь, тантал, титан, молибден, золото с подслоем хрома, нихрома или марганца. Толщина слоя от 20 до 50 мкм. Резистивные слои представляют собой пленки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, титана, рения, нитрида тантала, силицидов хрома (сплавы PC) или сплава МЛТ-ЗМ. Диэлектрические слои выполняют осаждением монооксида или диоксида кремния или германия, оксидов алюминия или тантала, нитрида кремния, сернистой сурьмы или полимерных пленок. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 [ 65 ] 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 |