Главная  Промышленность 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 [ 64 ] 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162

областей в слоях к чертежу совмещенной топологии показана на рис. 8.53.

Таблица 8.8. Основные конструктивные требования и технологические ограничения изготовления полупороводниковых тонкопленочных интегральных микросхем (минимально допустимые размеры, мкм)

Схема

Требование или ограничение

Обозначение

Способы изготовления

масочный

фотолитографический


Расстояние пленочных элементов от края

Шаг расположения и размеры периферийных контактных площадок

Расстояние между элементами в одном слое

Ширина пленочных проводников

□с d

625 400 200

1250; 2500 и кратный 2,5 мм

1000x400 100


Размеры контактных площадок и их расположение относительно пленочных элементов

1;к Г, d

200 100 100 600 350

Размеры резисторов

а I b

100 300 300 lOfl


Размеры пленочных конденсаторов

200 100 200 300

Размеры окон в защитном слое

100 400




Табл. 1

Элементы структуры

Толщина, мнм

Материал

Наименование

Наименование, марка

Подложка

Ш±30

ЗКД63

• •

Эпитаксиаль-ный слой

8,а±о,г

Кремниевые структуры

Базовая область

г.5±о.з

бор трех-бромистый 0CU9-U

Змиттерная o&iacmb

1,3 ±0,3

Фосфор трехороми-стый

• • *

Разделитель-ная область

iztz

бор трех-, бромистый

• « •

Слой металлизации

1.2 ±0.7

Алюминий.

Пленка диэлектрика

0.5±0,05

Диоксид кремния

» « •

ПассиСация

asto.f

То же

» » •

1. *~ Размеры для справок

2. Характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев приведены в табл. 1

3. Нумерация контактных площадок и обозначение элементе соответствиют схеме принципиальной злетрической АБВ. XXх. X31Z

и. К-фигуры совмещения

Рис. 8.51. Чертеж совмещенной топологии полупроводниковой интегральной микросхемы (первый лист)




/ 2 Д


Рис. 8.52. Структура фигур совмещения:

/ - поверхность кристалла; 2 - граница кристалла с оксидным покрьггием; 3- 7-фигуры для топологии: разделительного слоя (3), базового слоя (4), эмиттерного слоя (5), контактных окон (б), слоя металлизации (7)

Рис. 8.53. Границы областей в слоях микросхемы {К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер):

1 - разделительной области; 2 - области коллектора; 3 - контактного окна к области коллектора; 4 - области базы; 5 - контактного окна к области базы; 6 - области эмиттера; 7- контактного окна к области эмиттера; 8-металлизированных проводников

Для изготовления фотошаблонов и масок оформляют топологические чертежи отдельных слоев микросхемы: базового (контуры резисторов, базы транзисторов и анодных областей диодов), разделительного (разделяюшего области вокрут резисторов, контактных плошадок и других элементов), эмиттерного (контуры эмиттерных областей, коллекторных контактов и катодов диодов), контактных окон, слоев металлизации. На каждом из этих чертежей показывают проекцию кристалла с габаритными размерами, записывают технические требования, заполняют таблицу координат каждой фигуры слоя и размешают соответствующую фигуру совмещения. Каждая фигура слоя должна иметь цифровое обозначение левой нижней вершины. Цифра 1 присваивается левому нижнему углу прямоугольника, определяющего границы кристалла. Следующие вершины обозначаются в последовательности слева направо снизу вверх. Координаты всех вершин заносят в таблицу. Наименование слоя указывают текстом над изображением главного вида. На рис. 8.54 показаны элементы чертежа слоя металлизации к чертежу совмещенной топологии по рис. 8.51. Основную надпись вьшолняют по форме 2а [2.1].

Основные конструктивные требования и технологические ограничения для изготовления по отраслевым стандартам и стандартам предприятий интегральных микросхем и полупроводниковых тонкопленочных микросхем даны в табл. 8.8 и 8.9 соответственно.

Материалы. Для изготовления печатных плат применяются листовые слоистые электроизоляционные пластмассы с наклеенной на одну или две поверхности медной фольгой толщиной 0,036...0,05 мм. Радио-



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 [ 64 ] 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162