Главная  Промышленность 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [ 63 ] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162


Тобл. 1

слоя

УслоОиое оОожчтш

Нашетбате

С/10Я

Материая слоя

Злетритст npmwipucmom

метод

Пласта чертежа

Рпиапивны(Г

Нихром

тнвогост...

3,тЗ

нтт об-к/шокикон-бежотороб

АтшнийА99 ГОСТ,..

Ro-0,080u

«

i....... J

Защитный

Стекло боро-симкатное

CoSDOOHUpi

¥

верхние оо-шдш кои-бенсаторов

АлюмшиШ ГОСТ...

RoiOPS Ом

тттные п/ющрти и пртаники

Медь вакдди-ная ту...

R =0,06 Ом

N им.

ООозна-иение

точки из-щеиия

номинал, допуск

10-п

3,8kOm±15Vo

и -Ш

560Ом i 157с

8 -13

910 Ом ±15%

1,1к0м±157о

6 -7

SIOOMt 1S7c

8 -13

7S0nVi2O%

6 -7

530пФ±20А

I. *-Размердля справок 2.ПоВерхость А полировать.

3. Элементы б слоях выполнять в соответствии с таОл 1

4. Конригурацию элементов выпо/1ня1ПЬ по координатам, прибедеиным втад-лицах на соответстврющих лас/пах.

5. Электрические характеристики и данные йлл контроля суюев даны в табл. 1и2

6. нумерация контактных площадок и обозначения злементов соответствуют схеме злетрическеи принципиальной АБВ.ХХ.1Э7

Рис. 8.47. Чертеж совмещенной тополохтш гибридной интегральной микросхемы (первый лист)

Допускается отдельные промежуточные слои, не используемые для монтажа микросхемы в изделии, на чертеже совмещенной топологии не изображать. В технических условиях, располагаемых на поле чертежа над основной надписью, делается в этом случае соответствующая запись.

Последующие листы топологических чертежей должны содержать изображение отдельных слоев изделия. На рис. 8.48 показан чертеж резистивного слоя схемы по топологическому чертежу рис. 8.47.

Каждая зона слоя (элемент в виде многоугольника) нумеруется: за



Резистибный ста


Tafy.3

точек

Координаты

NN точек

Координаты

NN точек

Координаты

NN точек

Координаты

13.3

13,3

11.1

11.1

2,6.

13.3

13.3

11,0

11,0

*-Размеры дай справок Основная надпись Рис. 8.48. Топологический чертеж резистивного слоя

начало отсчета координат принимают нижний левый угол платы. Вершины каждого многоугольника нумеруют, начиная с левого нижнего угла по часовой стрелке. К следующему многоугольнику переходят по направлению снизу вверх слева направо. Координаты всех точек записывают в таблице, размещаемой на поле чертежа.

Примеры построения типовых пленочных элементов показаны на рис. 8.49.

Схемы оформления контактных площадок и вьтодов пленочных элементов даны на рис. 8.50.

Чертежи полупроводниковых интегральных ми1фОсхем также разрабатываются в соответствии с принципиальной электрической схемой. Оформление этой схемы имеет следующие особенности: а) схема не сопровождается спецификацией или иным перечнем компонентов - номиналы элементов и другие данные указывают возле позиционных обозначений непосредственно на схеме, б) обязательным является указание внешних выводов, в) допускается совмещение на одном листе



It S 6 7


1 -If


Рис. 8.49. Структура типовых пленочных элементов интегральных микросхем:

а - резистор; б - конденсатор; в-индуктивность; 1 - проводник; 2 - защитный слой; 3 - резистивный слой; 4 - подложка; J - обкладка л-типа проводимости; б-диэлектрик; 7-обкладка р-типа проводимости


Рис. 8.50. Конструктивные схемы контактных площадок и выводов пленочных элементов:

) -плата (диэлектрик); 2 - проводник (металлизированный слой); 3 - вывод навесного элемента

принципиальной и функциональной схем с указанием соответствующих параметров в виде таблиц или текстовой записи (табл. 8.8).

На первом листе конструкторской документации помещают главный вид -чертеж совмещенной топологии (рис. 8.51), изображающий подложку (кристалл) с координатной сеткой, со всеми нанесенными на нее слоями пленочных элементов и электрическими связями. Излагаются технические требования, приводятся типовая структура, обозначения и таблица характеристик слоев. Шаг координатной сетки выбирают из ряда, мм: 0,001; 0,005; 0,01; 0,025; 0,05; 0,1; 0,2. На чертеже совмещенной топологии также размещают фигуры совмещения, структура которых показана на рис. 8.52, и сложный ступенчатый разрез через различные элементы и компоненты микросхем. Положение секущей плоскости при этом не обозначается. Масштаб толщины слоев допускается не вьщерживать. Основные данные слоев указывают в таблице на поле чертежа (см. рис. 8.51). Схема построения границ



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 [ 63 ] 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162