Главная  Промышленность 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 [ 62 ] 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162

единицы. Порядковые номера проставляют слева направо сверху вниз по принципиальной электрической схеме.

Над или справа от изображения элемента или контактных площадок на плате указывают наименование (буквенное обозначение или символ) вывода прибора, имеющего направленное включение: для диодов - «+» (основание треугольника) и «-»; для транзистора - К (коллектор), Б (база) и Э (эмиттер).

Допускается размещать на главном виде печатной платы электрическую схему изделия. В этом случае чертеж платы со стороны навесных элементов не выполняется.

Чертежи многослойных печатных плат применяются для конструирования интегральных микросхем и других изделий функциональной микроэлектроники.

Интегральная микросхема (ИС) - микроэлектронное изделие, выполняющее функции преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и компонентов, изготовленных в едином технологическом цикле.

Элемент ИС - часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, выполненная неразделимо от подложки и не имеющая самостоятельного значения как изделие.

Полупроводниковая ИС - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.

Пленочная ИС - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок. Различают толстопленочные (Ясвьппе 1 до 25 мкм) и тонкопленочные {Н <\ мкм) ИС. Методами пленочной технологии изготовляют резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, соединительные проводники и контактные площадки.

Гибридная ИС - интегральная микросхема, содержащая кроме элементов пленочного исполнения навесные компоненты в виде бескорпусных микросхем, дискретных транзисторов и прочих микрокомпонентов.

Подложка ИС - заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и межкомпонентных соединений, в том числе контактных площадок.

Плата ИС - часть подложки гибридной ИС, на поверхности которой выполнены пленочные элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.

Кристалл ИС - часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.

Процесс проектирования гибридной ИС разделяется на следующие этапы: а) разработка принципиальной электрической схемы, б) определение типоразмеров навесных элементов, в) расчет формы и размеров пленочных элементов, г) определение размеров диэлектрической под-



ложки и выбор типа корпуса, д) разработка топологических чертежей изделия.

В комплект конструкторской документации на изделие - гибридную тонкопленочную микросхему - входят: а) схема электрическая принципиальная, б) сборочный чертеж со спецификацией, в) чертеж совмещенной топологии (платы с изображением всех нанесенньпс на нее слоев), г) топологические чертежи отдельных слоев пленочных элементов, д) чертежи деталей (подложки, элементов корпусов, выводных контактов).

Топологические чертежи гибридных интегральных микросхем определяют ориентацию, состав и взаимное расположение элементов и контактов на подложке (плате), а также форму и размеры пленочных элементов и соединений между ними. Чертежи выполняют в соответствии с правилами ЕСКД и дополнительными требованиями отраслевых стандартов (табл. 8.7).

За главный вид топологического чертежа на первом листе принимают чертеж совмещенной топологии (рис. 8.47) - изображение после нанесения последнего слоя с указанием всех элементов схемы и их электрических связей. Элементы схемы, расположенные в разных по глубине слоях, выделяют различной щтриховкой. Резистивный слой изображают площадками с точечным фоном; проводники, контактные площадки и обкладки конденсаторов штрихуют тонкими линиями различного направления и частоты; диэлектрический и защитный слои показывают соответственно штрихпунктирной и штриховой линией без штриховки защищенных участков. Обозначение штриховки вносят в таблицу на поле чертежа (см. табл. на рис. 8.48).

Контактные площадки, располагаемые обычно по контуру платы, нумеруют от нижнего левого угла по направлению движения часовой стрелки. Внутренние площадки нумеруют в том же порядке последующими порядковыми номерами. Номера выводов на плате и принципиальной электрической схеме должны совпадать.

Для ориентирования при изготовлении и указания начала отсчета контактных площадок на плате предусматривают площадку «ключ» размером примерно 0,3 х 0,8 мм (рис. 8.47).

Таблица 8.7. Основные конструктивные требования и технологические ограничения изготовления гибридных интегральных микрбсхем (минимально допустимые размеры, мм)

Схема

Требование или ограничение

обозначение

Размер


Расстояние от края платы до края отверстия То же, до пленочного элемента Размеры контактных площадок для монтажа навесных элементов с жесткими выводами

То же, для монтажа активных элементов с гибкими вьшодами; при ручном монтаже

0,1 0,25 ОД

0,4 X 0,7



Схема

Требование или ограничение

Обозначение

Размер

при автоматизированном монтаже

Ширина проводника под пайку навесных элементов

То же, в зависимости от силы тока, А:

до 0,3

» 1,0

»2,0

» 3,0

»6,0

0,6 x 1,2 0,4

0,15 0,30 0,60 0,80 -АО-

Расстояние между пленочными элементами в разных слоях

Размеры резистора и его расположение относительно печатных проводников

0,8 0,8 0,2 0,2


Размеры взаимного положения слоев пленочного конденсатора

0,2 0,3


Расстояние:

от края активного элемента до края платы

от пленочного луженого элемента до края навесного элемента

от края активного элемента до контактной площадки (места пайки)

от края активного элемента до контактной площадки навесного конденсатора

1,0 0,2

0,8 2,5

Расстояние между соседними элементами и контактными площадками для элементов с гибкими вьшодами

То же, между пленочными лужеными элементами с жесткими выводами при размерах элементов:

до 1,85 x 1,85 мм свыше 1,85 x 1,85 мм

0,2 0,3 0,2

2,0 1,0



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 [ 62 ] 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162